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chip monocristallini di silicio ad alta stabilità per il sensore di pressione/differenza di pressione

  • highly stable monocrystalline silicon pressure/differential pressure sensor chips
Luogo di origine Cina
Marca BEWIS
Numero di modello BW-MD3
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo $143
Termini di pagamento T/T

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Dettagli
Distanza 40Kpa Supertensione (in retromarcia) 5Mpa
Supertensione (positiva) 6Mpa tensione raccomandata 4.5~5.5V
Pregiudizi < 0,050 %FS
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Descrizione di prodotto

Bewis BW-MD serie di chip di sensore in silicio monocristallino altamente stabile, che ha un certo numero di prestazioni eccellenti, ed è stato lanciato in lotto sul mercato internazionale.È stato ampiamente utilizzato in petrochimico, energia metallurgica, automazione industriale, aerospaziale, Internet delle cose e altri settori in Europa e in Asia.

Caratteristiche (misurate a I=0,3mA, T=23°C)

Parametri min tipico massimo Unità
Resistenza al ponte 9.5 10 10.5 kΩ
Tensione di compensazione -3 0 +3 mV/V
Tensione di alimentazione - 3 10 V.
Corrente di alimentazione - 0.3 1 mA
Coefficiente di temperatura della resistenza al ponte +0.05 +0.08 +0.12 % FS/K
Coefficiente di temperatura del punto zero - Zero.05 ± 0.03 +0.05 % FS/K
Coefficiente di temperatura di scala completa - Zero.05 - Zero.08 - Zero.15

Bias di temperatura

(42h, da 30°C a 135°C a 30°C)

 0.02 1 2 UV/V
Caratteristiche della pressione statica - 0.03 - ±% FS/10MPa
Stabilità a lungo termine (1000h, 135°C) - ≤ 3 ± 5 UV/V
Non linearità - ≤ 0.3 - ±%FS
Sensibilità MD1-MD2 6 8 10 mV/V
MD3-MD8 15 20 25 mV/V

Stabilitàchip monocristallini di silicio ad alta stabilità per il sensore di pressione/differenza di pressione 0(Riscaldamento da 23°C a 85°C per 30 ore, ritorno a 23°C. Misurazione della deriva zero per 42 ore)

chip monocristallini di silicio ad alta stabilità per il sensore di pressione/differenza di pressione 1